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                    IGBT模塊
                    IGBT模塊

                    產品狀態

                    封裝

                    集電極-發射極電壓VCES min.(V)

                    集電極電流IC @ TC=80℃(A)

                    飽和壓降VCE(sat)typ.(V)

                    開關能量損耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃(mJ)

                    最大結-殼熱阻 Rth(j-c)max.(℃/W)

                    型號 規格書 集電極-發射極電壓VCES min.(V) 集電極電流 IC @ TC=80℃(A) 飽和壓降 VCE(sat)typ.(V) 開關能量損耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃(mJ) 最大結-殼熱阻 Rth(j-c)max.(℃/W) 封裝 產品狀態

                    條數據

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